FDI038AN06A0 Preise (USD) [38029Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDI038AN06A0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDI038AN06A0 elektronische Komponenten. FDI038AN06A0 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDI038AN06A0 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDI038AN06A0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDI038AN06A0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
124nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
310W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK (TO-262)
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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