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- Artikelnummer:
- NTD4815N-1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTD4815N-1G elektronische Komponenten. NTD4815N-1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTD4815N-1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NTD4815N-1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTD4815N-1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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