IPB70N10S3L12ATMA1 Preise (USD) [103519Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB70N10S3L12ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB70N10S3L12ATMA1 elektronische Komponenten. IPB70N10S3L12ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB70N10S3L12ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB70N10S3L12ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB70N10S3L12ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5550pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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