ZXMC10A816N8TC Preise (USD) [191955Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMC10A816N8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC elektronische Komponenten. ZXMC10A816N8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMC10A816N8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMC10A816N8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMC10A816N8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
497pF @ 50V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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