Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
Teilestatus :
Not For New Designs
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TUMT6
Paket / fall :
6-SMD, Flat Leads