Vishay Siliconix - SI2323DS-T1

KEY Part #: K6406616

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    Artikelnummer:
    SI2323DS-T1
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI2323DS-T1 elektronische Komponenten. SI2323DS-T1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI2323DS-T1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2323DS-T1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI2323DS-T1
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.7A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
    Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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