Vishay Siliconix - SI7272DP-T1-GE3

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Artikelnummer:
SI7272DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7272DP-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI7272DP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Leistung max : 22W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual