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- Artikelnummer:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB065N15N3GE8187ATMA1 elektronische Komponenten. IPB065N15N3GE8187ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB065N15N3GE8187ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
93nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7300pF @ 75V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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