Artikelnummer :
MMBF170Q-13-F
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 0.5A
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
300mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3