IXTY1R4N120P Preise (USD) [41564Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTY1R4N120P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTY1R4N120P elektronische Komponenten. IXTY1R4N120P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTY1R4N120P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTY1R4N120P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTY1R4N120P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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