NTD4979N-35G Preise (USD) [357223Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTD4979N-35G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTD4979N-35G elektronische Komponenten. NTD4979N-35G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTD4979N-35G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NTD4979N-35G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTD4979N-35G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
837pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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