TP65H035WSQA Preise (USD) [4296Stück Lager]
- 1 pcs$10.08141
- Artikelnummer:
- TP65H035WSQA
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 47A TO247-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TP65H035WSQA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TP65H035WSQA
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
187W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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