IPB35N12S3L26ATMA1 Preise (USD) [152774Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB35N12S3L26ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL100.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPB35N12S3L26ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB35N12S3L26ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL100
Serie :
*
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
-
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
-
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