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Microsemi Corporation - APT6M100K

KEY Part #: K6408948

[451Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APT6M100K
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT6M100K elektronische Komponenten. APT6M100K kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT6M100K haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT6M100K Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT6M100K
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1410pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 225W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220 [K]
    Paket / fall : TO-220-3

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