ON Semiconductor - FDMS3602S

KEY Part #: K6523141

FDMS3602S Preise (USD) [63924Stück Lager]

  • 1 pcs$0.61474
  • 3,000 pcs$0.61168

Artikelnummer:
FDMS3602S
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS3602S elektronische Komponenten. FDMS3602S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS3602S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3602S Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDMS3602S
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A, 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 13V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : Power56