HTNFET-D Preise (USD) [230Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HTNFET-D
- Hersteller:
- Honeywell Aerospace
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Honeywell Aerospace HTNFET-D elektronische Komponenten. HTNFET-D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HTNFET-D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HTNFET-D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HTNFET-D
Hersteller :
Honeywell Aerospace
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Serie :
HTMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 28V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
8-CDIP-EP
Paket / fall :
8-CDIP Exposed Pad
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