IAUT240N08S5N019ATMA1 Preise (USD) [35806Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IAUT240N08S5N019ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 8HSOF.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IAUT240N08S5N019ATMA1 elektronische Komponenten. IAUT240N08S5N019ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IAUT240N08S5N019ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IAUT240N08S5N019ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IAUT240N08S5N019ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 8HSOF
Serie :
OptiMOS™-5
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 160µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9264pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
230W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
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