BSC030P03NS3GAUMA1 Preise (USD) [71491Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC030P03NS3GAUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC030P03NS3GAUMA1 elektronische Komponenten. BSC030P03NS3GAUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC030P03NS3GAUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC030P03NS3GAUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25.4A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 345µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
186nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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