Infineon Technologies - IRF7752TRPBF

KEY Part #: K6524108

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    Artikelnummer:
    IRF7752TRPBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7752TRPBF elektronische Komponenten. IRF7752TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7752TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7752TRPBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF7752TRPBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 861pF @ 25V
    Leistung max : 1W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    Supplier Device Package : 8-TSSOP

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