Artikelnummer :
IPD70N10S312ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4355pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63