Infineon Technologies - AUIRF2804WL

KEY Part #: K6417071

AUIRF2804WL Preise (USD) [24465Stück Lager]

  • 1 pcs$1.68456
  • 3,000 pcs$0.95129

Artikelnummer:
AUIRF2804WL
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies AUIRF2804WL elektronische Komponenten. AUIRF2804WL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AUIRF2804WL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF2804WL Produkteigenschaften

Artikelnummer : AUIRF2804WL
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 187A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7978pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262-3 Wide
Paket / fall : TO-262-3 Wide Leads

Sie könnten auch interessiert sein an
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.