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- Artikelnummer:
- BUZ31 E3046
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BUZ31 E3046 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUZ31 E3046
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1120pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
95W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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