SI7900AEDN-T1-GE3 Preise (USD) [167720Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI7900AEDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI7900AEDN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7900AEDN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7900AEDN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7900AEDN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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