BSM120D12P2C005 Preise (USD) [249Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSM120D12P2C005
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005 elektronische Komponenten. BSM120D12P2C005 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM120D12P2C005 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSM120D12P2C005 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM120D12P2C005
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 22mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 10V
Leistung max :
780W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
-
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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