SQJ262EP-T1_GE3 Preise (USD) [158402Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQJ262EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQJ262EP-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQJ262EP-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQJ262EP-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQJ262EP-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Leistung max :
27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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