Infineon Technologies - IRLHS6376TR2PBF

KEY Part #: K6523955

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    Artikelnummer:
    IRLHS6376TR2PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF elektronische Komponenten. IRLHS6376TR2PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLHS6376TR2PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLHS6376TR2PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRLHS6376TR2PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V
    Leistung max : 1.5W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad
    Supplier Device Package : 6-PQFN (2x2)

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