Microsemi Corporation - APTM100A23STG

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Artikelnummer:
APTM100A23STG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100A23STG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM100A23STG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 308nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8700pF @ 25V
Leistung max : 694W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP4
Supplier Device Package : SP4