Artikelnummer :
APTM100A23STG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
308nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8700pF @ 25V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP4