IXFN110N60P3 Preise (USD) [3606Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN110N60P3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 90A SOT227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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IXFN110N60P3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN110N60P3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
245nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
18000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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