SIZ346DT-T1-GE3 Preise (USD) [316935Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ346DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ346DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ346DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ346DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ346DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ346DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Serie :
PowerPAIR®, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Leistung max :
16W, 16.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-Power33 (3x3)
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