ZXMN3F31DN8TA Preise (USD) [193225Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN3F31DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN3F31DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN3F31DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
608pF @ 15V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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