Infineon Technologies - IPB60R199CPATMA1

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IPB60R199CPATMA1 Preise (USD) [46824Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPB60R199CPATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 16A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R199CPATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB60R199CPATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 139W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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