SQS411ENW-T1_GE3 Preise (USD) [250794Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQS411ENW-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQS411ENW-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQS411ENW-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQS411ENW-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQS411ENW-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQS411ENW-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3191pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
53.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8W
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8W
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