ON Semiconductor - NTP8G202NG

KEY Part #: K6402435

NTP8G202NG Preise (USD) [2705Stück Lager]

  • 1 pcs$11.09140
  • 10 pcs$10.25885
  • 100 pcs$8.76156

Artikelnummer:
NTP8G202NG
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTP8G202NG elektronische Komponenten. NTP8G202NG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTP8G202NG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTP8G202NG Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTP8G202NG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3