Artikelnummer :
FDC5612_F095
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6