Artikelnummer :
TSM900N10CH X0G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1480pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251 (IPAK)
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak