HTMN5130SSD-13 Preise (USD) [92797Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HTMN5130SSD-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 elektronische Komponenten. HTMN5130SSD-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HTMN5130SSD-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HTMN5130SSD-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HTMN5130SSD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
218.7pF @ 25V
Leistung max :
1.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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