UPA2812T1L-E1-AT Preise (USD) [2720Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- UPA2812T1L-E1-AT
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America UPA2812T1L-E1-AT elektronische Komponenten. UPA2812T1L-E1-AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu UPA2812T1L-E1-AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
UPA2812T1L-E1-AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
UPA2812T1L-E1-AT
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3740pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HVSON (3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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