TK10J80E,S1E Preise (USD) [37612Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK10J80E,S1E
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TK10J80E,S1E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK10J80E,S1E
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Serie :
π-MOSVIII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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