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- Artikelnummer:
- IRFHS9351TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF elektronische Komponenten. IRFHS9351TR2PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFHS9351TR2PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFHS9351TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFHS9351TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 25V
Leistung max :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-PowerVDFN
Supplier Device Package :
6-PQFN Dual (2x2)
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