Artikelnummer :
SIA811ADJ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
345pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / fall :
PowerPAK® SC-70-6 Dual