SPD06N60C3ATMA1 Preise (USD) [103207Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SPD06N60C3ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPD06N60C3ATMA1 elektronische Komponenten. SPD06N60C3ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPD06N60C3ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPD06N60C3ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPD06N60C3ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
74W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-1
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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