NVMFD5873NLT1G Preise (USD) [85671Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFD5873NLT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NVMFD5873NLT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFD5873NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1560pF @ 25V
Leistung max :
3.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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