APTMC120AM55CT1AG Preise (USD) [497Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTMC120AM55CT1AG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC120AM55CT1AG elektronische Komponenten. APTMC120AM55CT1AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC120AM55CT1AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APTMC120AM55CT1AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTMC120AM55CT1AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 2mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 1000V
Leistung max :
250W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
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