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Microsemi Corporation - APTC60HM35T3G

KEY Part #: K6522658

APTC60HM35T3G Preise (USD) [1310Stück Lager]

  • 1 pcs$33.05293
Artikelnummer:
APTC60HM35T3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC60HM35T3G elektronische Komponenten. APTC60HM35T3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC60HM35T3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM35T3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTC60HM35T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 518nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V
Leistung max : 416W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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