ON Semiconductor - NVMFD5C470NLT1G

KEY Part #: K6523061

NVMFD5C470NLT1G Preise (USD) [203589Stück Lager]

  • 1 pcs$0.18168

Artikelnummer:
NVMFD5C470NLT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFD5C470NLT1G elektronische Komponenten. NVMFD5C470NLT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFD5C470NLT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C470NLT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMFD5C470NLT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 25V
Leistung max : 3W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.