PMPB215ENEAX Preise (USD) [415964Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PMPB215ENEAX
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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PMPB215ENEAX Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMPB215ENEAX
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
215pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN2020MD-6
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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