DMN3032LFDBQ-7 Preise (USD) [446296Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3032LFDBQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7 elektronische Komponenten. DMN3032LFDBQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3032LFDBQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3032LFDBQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3032LFDBQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 15V
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type B)
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