IXTH1N100 Preise (USD) [23749Stück Lager]
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- 30 pcs$1.99549
- Artikelnummer:
- IXTH1N100
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH1N100 elektronische Komponenten. IXTH1N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH1N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTH1N100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTH1N100
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 (IXTH)
Paket / fall :
TO-247-3
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