BSM180D12P3C007 Preise (USD) [177Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSM180D12P3C007
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- SIC POWER MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSM180D12P3C007 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM180D12P3C007
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
SIC POWER MODULE
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Leistung max :
880W
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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