SPD08N50C3ATMA1 Preise (USD) [108806Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SPD08N50C3ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPD08N50C3ATMA1 elektronische Komponenten. SPD08N50C3ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPD08N50C3ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPD08N50C3ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-1
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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